| 主权项 |
1.一种改良扬声器音质的装置,包括:一远红外线陶瓷装置,系可安装于一扬声器中一单体内部,并藉由该单体内一振膜的振动使得该远红外线陶瓷装置产生共振而改良该单体所产生乐音的音质。2.如申请专利范围第1项所述之改良扬声器音质的装置,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为中空圆柱。3.如申请专利范围第1项所述之改良扬声器音质的装置,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为圆柱。4.如申请专利范围第1项所述之改良扬声器音质的装置,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为圆环。5.如申请专利范围第1项所述之改良扬声器音质的装置,其中该远红外线陶瓷装置系包括下列一种或多种材质:碳化矽(SiC)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化钙(CaO)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铁(Fe2O3)、四氧化三铁(Fe3O4)以及三氧化二钇(Y2O3)。6.一种扬声器的结构,包括:一单体;以及一远红外线陶瓷装置,该远红外线陶瓷装置系安装于该单体内,并且与该单体内一音圈做同轴排列。7.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为中空圆柱。8.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为圆柱。9.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为圆环。10.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置系包括下列一种或多种材质:碳化矽(SiC)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化钙(CaO)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铁(Fe2O3)、四氧化三铁(Fe3O4)以及三氧化二钇(Y2O3)。11.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置系可套设于该音圈与该单体内一T铁间。12.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置系可套设于该音圈与该单体内一磁铁间。13.如申请专利范围第6项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置系可安装于该单体内一磁铁与一弹波之间。14.一种改良扬声器音质的装置,包括:一远红外线陶瓷装置,系可安装于一扬声器中一单体的防尘盖外侧,而该远红外线陶瓷装置之材质系可选自下列之一及其组合:碳化矽(SiC)以及氮化矽(Si3N4)。15.如申请专利范围第14项所述之改良扬声器音质的装置,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为中空圆柱。16.如申请专利范围第14项所述之改良扬声器音质的装置,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为圆环。17.一种扬声器的结构,包括:一单体;以及一远红外线陶瓷装置,该远红外线陶瓷装置系安装于该单体的防尘盖外侧,并且与该单体内一音圈做同轴排列,而该远红外线陶瓷装置之材质系可选自下列之一及其组合:碳化矽(SiC)以及氮化矽(Si3N4)。18.如申请专利范围第17项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为中空圆柱。19.如申请专利范围第17项所述之扬声器的结构,其中该远红外线陶瓷装置之外型系为圆环。图式简单说明:第一图系习知一动圈式单体的结构示意图。第二A图系依据本创作之一较佳具体实施例所提供之安装了远红外线陶瓷装置之单体结构示意图。第二B图至第二E图系依据本创作之另一较佳具体实施例所提供之各种远红外线陶瓷装置安装于单体内部的结构示意图。第三图系一扬声器与安装本创作所提供的远红外线陶瓷装置的另一扬声器两者的频谱分析比较图。 |
