| 主权项 |
1.一种液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法,包含以下步骤:(A)混合预定浓度之六氟钛酸铵盐水溶液与硝酸铅水溶液,以制备一氢氧化钛铅化合物生成溶液;(B)将预定浓度之硼酸水溶液加入该生成溶液中,以制备一氢氧化钛铅薄膜反应溶液;(C)将一基材放入该反应溶液中,使氢氧化钛铅化合物于该基材表面沈积而形成氢氧化钛铅薄膜;及(D)将氢氧化钛铅薄膜烧结成结晶态之钛酸铅铁电薄膜。2.依据申请专利范围第1项所述之液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法,其中,步骤(A)之六氟钛酸铵盐水溶液浓度范围为0.01M~0.3M。3.依据申请专利范围第1项所述之液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法,其中,步骤(A)之硝酸铅水溶液之浓度范围为0.01M~0.3M。4.依据申请专利范围第1项所述之液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法,其中,步骤(B)之硼酸水溶液的浓度范围为0.01M~0.3M。5.依据申请专利范围第1项所述之液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法,其中,步骤(B)之硼酸水溶液与六氟钛酸铵盐水溶液之莫耳数比为1:1~7:1。6.依据申请专利范围第1项所述之液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法,其中,步骤(D)之烧结温度为25℃~750℃。图式简单说明:图1是本发明液相沈积制备钛酸铅铁电薄膜之方法的一实施例之制作流程图;图2是该实施例液相沈积氢氧化钛铅薄膜时所采用之仪器设备示意图;图3是该实施例所制作之钛酸铅铁电薄膜的SEM影像图,并说明该钛酸铅铁电薄膜之膜厚;图4是该实施例所制作之钛酸铅铁电薄膜的SEM影像图,并说明该钛酸铅铁电薄膜表面结构;及图5是该实施例所制作之钛酸铅铁电薄膜的XRD分析数据图。 |
