| 摘要 |
一种沉积金属硫族薄膜之方法，其包括以下步骤：将分离的金属硫族之以【金井】为基础之前趋物与其中含有增溶添加剂之溶剂接触，以形成其错合物溶液；将此错合物溶液施于基质上以在此基质上产生溶液涂层；将溶剂自此涂层移除以在此基质上产生错合物之薄膜；及之后将此错合物薄膜退火(annealing)以在此基质上产生金属硫族薄膜。亦提供一种制备经分离的金属硫族之以【金井】为基础之前趋物之制程，及使用此金属硫族作为通道层之薄膜场效电晶体装置。自金属硫族之以【金井】为基础之前趋物溶液沉积半导体硫族薄膜之替代方法，其系藉由(1)将至少一种金属硫族及一化合物接触，或(2)将至少一种金属硫族与一种胺化合物之盐接触以形成以铵为基础之前趋物，其再与化合物接触而制备。 |
