一种高发光效率之氮化镓系列发光二极体及其制造方法

摘要

本发明系有关于一种高发光效率之氮化镓系列发光二极体及其制造方法，其系揭示一P型半导体层之表面纹路结构生成之制程及其结构，透过该纹路结构可以中断光导效应并减少六面形坑洞缺陷之产生机率，而于本发明所揭示之方法，系于生成一P型披覆层及一P型过渡层时，控制其延伸(tension)及压缩(compression)之应变量，再形成一P型欧姆接触层于该P型过渡层之上，透过此种磊晶成长过程中之控制方法与其结构，即可使该P型半导体层表面具有纹路结构，以达增加外部之量子效率并增加其工作寿命。