高分子化合物及正型光阻材料以及使用其形成图型之方法

摘要

本发明之课题系提供在高能量线之曝光中，在高感度下具有高解像性，又，显影时之膨胀可被抑制，使得线边缘粗糙度小，显影后之残渣少之正型光阻材料。本发明之解决手段系，至少具有，下述式(1a)所示之重覆单元与，下述式(1b)所示之重覆单元及／或下述式(1c)所示之重覆单元，之高分子化合物，及使该等以基底树脂配合之正型光阻材料。093130385-p01.bmp