发明名称 适用积体电路及发光二极体之封装方法
摘要 本发明系一种适用积体电路及发光二极体之封装方法,其流程依序为以一金属基板作为制程基板,并于基板上设置一线路,在金属基板上的线路表面形成数个金属凸块,在金属凸块上设置一导电主体,在该导电主体外部密封上一封胶,在金属基板底部以形成接脚,接着于金属基板底部非接脚部分涂布防焊油墨。藉由上述技术手段,本发明可免除在IC晶圆或发光二极体晶粒上形成金属凸块的复杂制程而达到成本的降低,并可广泛应用于各种IC元件导电主体的封装而提高封装方法的实用性。
申请公布号 TWI234302 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW093126334 申请日期 2004.09.01
申请人 相互股份有限公司 发明人 黄禄珍
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种适用积体电路及发光二极体之封装方法,其包含有以下流程:以一金属基板作为制程基板,并于该基板上设置一线路;在各金属凸块外涂布一金属结合剂;在该金属凸块上设置一导电主体;在该导电主体外部密封上一封胶;蚀刻该金属基板底部以形成数个底部接脚;于该金属基板底部非接脚部分涂布一防焊油墨;及对线路进行测试。2.如申请专利范围第1项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中在该金属基板上设置线路的方法系为蚀刻该金属基板顶部,该金属基板上受蚀刻后的凹陷处以高分子介电材料填平,非受蚀刻处则形成该线路。3.如申请专利范围第2项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中当该导电主体设置于金属凸块上时,导电主体上的数个金属接点系分别相对应于各金属凸块上,接着于导电主体底部与金属基板顶部之间填充一底层封胶(Underfill)。4.如申请专利范围第3项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中导电主体系为一晶片。5.如申请专利范围第3项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中导电主体系为一发光二极体晶粒。6.如申请专利范围第1到5项中任一项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,在形成底部接脚之后且在涂布该防焊油墨之前,在各底部接脚上涂布一镍/金层,接着在该金属基板底部的部分接脚处形成有一可避免逆电流或瞬间静电的线路保护电阻。7.如申请专利范围第5项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中底部封胶系呈透明状。8.如申请专利范围第6项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中金属凸块系以电镀方式形成于金属基板上。9.如申请专利范围第6项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中金属凸块系以印刷方式形成于金属基板上。10.如申请专利范围第8项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中金属结合剂系为一银材料。11.如申请专利范围第9项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中金属结合剂系为一银材料。12.如申请专利范围第8项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中金属结合剂系为一锡材料。13.如申请专利范围第9项所述之适用积体电路及发光二极体之封装方法,其中金属结合剂系为一锡材料。图式简单说明:第一图A~D系为本发明之部分流程图。第二图E~F系为本发明接续第一图内流程之部分流程图。第三图G~H系为本发明接续第二图内流程之部分流程图。第四图系为本发明完成各流程后的平面剖视图。第五图系为习用积体电路封装的平面视图。第六图系为习用发光二极体封装的平面视图。第七图系为习用积体电路与金属凸块的平面视图。第八图系为习用覆晶型积体电路封装的平面视图。第九图系为习用覆晶型积体电路封装的平面示意图。
地址 台北县新庄市化成路195巷25号