发明名称 自偏压场效电晶体元件
摘要 一种自偏压场效电晶体元件,包括一形成有源极、汲极和闸极之场效电晶体晶粒,及一端分别与场效电晶体晶粒之源极连接之电容及电阻,以及一用以将该场效电晶体晶粒与该电容及该电阻封装于其中之封装体,藉此,构成一场效电晶体封装元件,并藉由自偏压方式,达到自我保护、减少电路尺寸及复杂度,以及降低制造成本并且适于大量生产等功效与目的。
申请公布号 TWM270570 申请公布日期 2005.07.11
申请号 TW094200364 申请日期 2005.01.07
申请人 全波科技股份有限公司 发明人 童玉玮
分类号 H03F3/16 主分类号 H03F3/16
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种自偏压场效电晶体元件,包括:一场效电晶体晶粒,其上形成一源极、一汲极及一闸极;一电容,其一端与该场效电晶体晶粒之源极连接;一电阻,其一端与该场效电晶体晶粒之源极连接,另一端与该电容之另一端连接;及一封装体,用以将该场效电晶体晶粒、该电容及该电阻封装于其中。2.依据申请专利范围第1项所述之自偏压场效电晶体元件,其中该电容与电阻连接之一端与该场效电晶体晶粒之汲极和闸极更分别延伸出一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚,且该等接脚外露于该封装体外。3.依据申请专利范围第2项所述之自偏压场效电晶体元件,其中该场效电晶体晶粒是一n型场效电晶体,且在正常工作状态下,该汲极接脚系与一正电压源连接,而该闸极接脚及该源极接脚接地。图式简单说明:图1是习知双偏压场效电晶体元件之偏压方式电路示意图;图2是本新型自偏压场效电晶体元件之一较佳实施例的电路图;及图3是本实施例之电路示意图,用以说明自偏压之作动方式。
地址 桃园县龙潭乡渴望路185号2楼之1