剥离光阻剂制程中减低阻挡材料损失之方法

摘要

一种从具有蚀刻介电材料的积体电路(IC)结构上移除光阻剂层的方法，该介电材料具有一覆盖铜金属连接层之曝露阻挡层，该阻挡层由例如氮化矽或碳化矽的材料所组成，该方法包括将会影响一氧化碳的混合气体注入反应器内，然后反应器内会产生电浆，在很少或不蚀刻曝露的阻挡层的情形下，选择性地移除光阻剂层。