用以于低压下化学-机构平坦化的材料与方法

摘要

提供使材料层化学机械平坦化之材料及方法，其系使用少于约2.5psi之向下压力，同时维持一般相似于使用更高向下力量获得者之材料移除速率，同时改良此处理之有关于障壁材料上形成之主要材料之选择性。此间揭露之材料及方法系适用于半导体元件制造期间之金属化操作，特别是其间主要材料系较软金属(诸如，铜)且障壁材料系较硬材料(诸如，金属氮化物)之方法。