| 摘要 |
一种ONO形式的多晶矽间绝缘体，其以沈积本质矽在一个氧化终止层上的方式所形成。在一实施例中，氧化终止层是一个位于下部且含有传导性掺杂物的多晶矽层之氮化顶端表面。在一实施例中，原子层沈积法(atomic layer deposition,ALD)用以精确控制沈积的本质矽厚度。热及某种氧化气氛，用以转变沈积的本质矽，使成为热成长的二氧化矽。氧化终止层可防止更深层的氧化。在一个位于上部且含有传导性掺杂物的多晶矽层形成之前，一个矽氮化物层及一个额外的矽氧化物层，将进一步地沈积以完成ONO结构。在一实施例中，位于下部及上部的多晶矽层被图样化(pattern)，分别定义出电子式可重新程式化记忆体单元(electrically re–programmable memory cell)的浮接闸(floating gate)及控制闸(control gate)特性。在一替代实施例中，在中间之后，ONO结构的矽氮化物被界定，另一层的本质矽以例如ALD的方式沈积。热及某种氧化气氛，用以转变第二层沈积的本质矽，使成为热成长的二氧化矽。具有两个热成长且相互远离的氧化矽层之ONO结构，因此被界定。 |
