发明名称 雷射照射装置,雷射照射方法,和结晶半导体膜的制造方法
摘要 本发明的目的是提供一种使用包括电流计镜和fθ透镜的光学系统的精简的雷射照射装置以及雷射照射方法,该雷射照射装置可以抑制由因基底背面的次级射束引起的干涉影响,从而能够对被照射物进行均匀的雷射退火,且可以提高生产量。在本发明中,当假设形成有被照射物的基底的厚度为d,折射率为n,并将真空中的光速定义为c时,让雷射光束的脉宽t满足不等式ct<2nd。在上述结构中,即使使用包括电流计镜和fθ透镜的光学系统,也可以减少因基底背面的次级射束引起的干涉影响,从而可以对被照射物执行均匀的雷射退火。
申请公布号 TW200525843 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093139665 申请日期 2004.12.20
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 田中幸一郎
分类号 H01S5/026 主分类号 H01S5/026
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本