| 摘要 |
本发明揭示一种静态随机存取记忆体(SRAM)装置，其可包括：一位于一半导体基板上且其中具有一源极／汲极区之体MOS电晶体；一位于该体MOS电晶体上之绝缘层；及一其中具有一源极／汲极区之薄膜电晶体，其位于该体MOS电晶体之上之绝缘层上。该装置可进一步包括一位于该体MOS电晶体与该薄膜电晶体之间之多层式栓塞。该多层式栓塞可包括：一半导体栓塞，其直接位于该体MOS电晶体之源极／汲极区上并贯穿该绝缘层之至少一部分；及一金属栓塞，其直接位于该薄膜电晶体之源极／汲极区及该半导体栓塞上并贯穿该绝缘层之至少一部分。本发明亦论述了相关方法。 |
