阻値降低半导体元件之制造方法

摘要

本发明系关于一种阻值降低半导体元件之制造方法，可适度降低半导体元件之整体电阻值，其步骤包括：依序形成一介电层、一导电层于一半导体基底上，其中半导体基底具有一第一导电性，而导电层表面露出有一金属矽化物层；施行一掺杂程序，掺杂具有第二导电性之掺质于金属矽化物层内以降低导电层之阻值，其中第二导电性异于第一导电性；形成一上盖层于导电层上；依序定义上盖层、导电层及介电层以形成一图案化之闸极结构；以及形成一对源／汲极区于闸极结构两侧之半导体基底内，以形成一阻值降低闸极元件，其中该些源／汲极区具有同于该第二导电性之一第三导电性。