| 摘要 |
本发明揭示具有多重二位元组或非二位元组位元储存容量之多端子硫属化物记忆体单元及其程式化方法。该等记忆体单元包含一具有一硫属化物材料以及与其电气通连之三或更多个电气端子之细孔区。端子组态展现可被选择性或独立程式化以提供多位元储存之硫属化物材料之空间区隔区。施加电气信号(例如电流或电压脉波)至一对端子间造成在硫属化物材料之空间区隔部之一之结构转换。施加电气信号至硫属化物装置内之不同对端子间造成硫属化物材料中不同部位之结构转换。因结构转换产生之结构状态可供二位元组或非二位元组(例如多阶)系统中储存资讯值之用。端子之选择提供硫属化物材料之连续体内特定与区隔部位之选择性程式化，其中各选择性程式化部位提供单一二位元组或非二位元组位元之储存。在具有三或多个端子之装置中，两或多个选择性可程式部位位于占有细孔区之硫属化物材料体内，并因而实现多位元储存。本发明进一步包含将具有三或更多端子之硫属化物记忆体单元程式化之方法，其目的在于将多重位元资讯储存于二位元组或非二位元组系统中。 |
