发明名称 CuSn CuZn Cu2ZnSn CuSn CuZn and Cu2ZnSn Sputter Targets
摘要 본 발명은 CuZnSn 물질, CuZn 물질 또는 CuSn 물질을 포함하는 3차원 스퍼터 타겟을 청구한다. 대표 CuZnSn 물질은, 40 원자 퍼센트 내지 60 원자 퍼센트 범위의 Cu 함량; 20 원자 퍼센트 내지 30 원자 퍼센트 범위의 Zn 함량; 및 20 원자 퍼센트 내지 30 원자 퍼센트 범위의 Sn 함량을 가지며, 여기서 상기 3차원 스퍼터 타겟은 500㎜를 초과하는 적어도 하나의 주축 치수를 가지며, 상기 CuZnSn 물질은 0.005㎜ 내지 5㎜ 범위의 입자 크기를 갖는다. 부가적으로, 본 발명은 3차원 스퍼터 타겟을 제조하는 방법을 청구한다.
申请公布号 KR20160144468(A) 申请公布日期 2016.12.16
申请号 KR20167031626 申请日期 2015.04.30
申请人 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 发明人 슐테이스, 마르커스;시몬스, 크리스토프
分类号 C23C14/34;C22C9/02;C22C9/04;C22C18/02;C23C14/14;C23C14/58;H01J37/34;H01L21/02;H01L31/0392 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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