铪系高K介电质之原子层沈积法ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HAFNIUM-BASED HIGH-K DIELECTRIC

摘要

提出一种沈积铪系介电质膜之方法。该方法包括使用臭氧和一或多种包括铪先质的反应物进行原子层沈积。也提出一种半导体器件。该器件包括一基板，一在该基板上面形成的铪系介电层，与一在该基板与该铪系介电层之间形成的介面层，其中该介面层包括二氧化矽且具有结晶构造。