| 摘要 |
【课题】提供一种可提升半导体装置之电气特性之技术。【解决手段】在p^–半导体基板1上之n^–半导体层3中，从其上面与p^–半导体基板1之界面中设有p^＋杂质区4。p^＋杂质区4系在n^–半导体层3内区分为高电位岛区101、低电位岛区104以及狭缝区105。高电位岛区101中之n^–半导体层3与低电位岛区104中之n^–半导体层3系由狭缝区105中之n^–半导体层3连接，且在高电位岛区101中之n^–半导体层3系形成有逻辑电路103。又，狭缝区105中之n^–半导体层3之Y轴方向之宽度W系设定为较高电位岛区101中之n^–半导体层3之Y轴方向之宽度HW小。 |
