利用PECVD之直链型矽先趋物及有机致孔剂之混合系统的超低K値介电材料ULTRA LOW DIELECTRIC MATERIALS BASED ON HYBRID SYSTEM OF LINEAR SILICON PRECURSOR AND ORGANIC POROGEN BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD)

摘要

本发明揭示一种用以沉积一低介电常数膜层的方法，其系藉由让一或多种直链、不含氧的有机矽化物，一或多种不含氧的碳氢化物其包含一环及一或二个碳–碳双键于该环上，及一或多种氧化气体，在足以沉积出一低介电常数膜层的条件下反应。沉积后，该低介电常数膜层也可被施以一后–处理步骤。在一态样中，该后–处理步骤系一电子束处理。