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发明名称
高频薄膜电路元件
摘要
本发明揭示一种高频薄膜电路元件,其包含内部与至少一磁性材料层磁性耦合之一伸长导体,该磁性材料层在该导体上面及下面沿该导体之至少一部分而扩展。本发明提供一种并入经仔细选择的磁性材料层之电感元件以及一种制作电感元件之方法。
申请公布号
TW200529256
申请公布日期
2005.09.01
申请号
TW093136563
申请日期
2004.11.26
申请人
飞思卡尔半导体公司
发明人
菲力浦 蓝道;罗马希 蓝普莱莎德
分类号
H01F21/00
主分类号
H01F21/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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