半导体装置之制造方法

摘要

一种在半导体装置中制造MOS电晶体的方法；包括藉由使用一多步骤的植入与一相关之多步骤的热处理以植入掺杂物在一通道层或源／汲极区域的步骤。其中，该多步骤的植入包括若干植入的步骤，每一步骤皆是为了植入一剂量小于1×10^13／cm^2的掺杂物。该多步骤的植入之总剂量范围介于1×10^13／cm^2与3x10^13／cm^2之间。