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一种能够降低负偏压温度不稳定性的半导体元件及其制造方法，一种多闸式电晶体包括一主动区，闸介电层，主动区内的通道，以及闸电极。多闸式电晶体在一半导体晶片上形成。主动区具有一上表面和侧表面，并且以一第一方向定位。闸介电层形成于主动区的上表面和侧表面上。通道形成于主动区的上表面和侧表面上。闸电极形成于对应于通道的闸介电层上，并且与主动区垂直对准，因此电流以第一方向流动。在本发明的一方面中，一绝缘层上覆矽层在一第二方向具有一第二方位指示器，绝缘层上覆矽层形成于一支撑基底上，此支撑基底在一第一方向上具有一第一方位指示器。一多闸式电晶体形成于绝缘层上覆矽层上。第一方向和第二方向是相同的，或者第一方向关于第二方向成45度角。在本发明的另一个方面中，主动区的上表面和侧表面的交叉面是弯曲的，进一步降低了负偏压温度不稳定性。在本发明的另一个方面，一多闸式电晶体形成于一大块晶片的一浅沟渠隔离区内。 |
