| 主权项 |
1.一种以标记与空白型态记录资讯于一磁光记录媒体之一记录磁轨之方法,该方法包含步骤:a)写入一标记,藉由使该磁光记录媒体之每一标记通道位元之一次标记部分,于实质地与该记录媒体之记录表面垂直之一第一方向磁化,并藉由使每个标记通道位元之一相邻次空白部分,于与该第一方向相对之一第二方向磁化;及b)于该记录磁轨方向,设定该标记通道位元之次标记部分长度(L1),使其小于或等于该标记通道位元之邻近次空白部分长度(L2)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法亦包含设定该次空白部分之长度(L2)以及该次标记部分之长度(L1)间之比例为小于或等于4之一整数値之步骤。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该次空白部分之长度(L2)以及该次标记部分之长度(L1)间之比例设定为1。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该比例之设定乃根据该标记通道位元之长度(b)。5.如申请专利范围第2、3或4项之方法,其中,对于一个长运行长度之各第一或最后标记通道位元,增加该比例。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该标记通道位元之长度根据下列方程式决定:b≧(w+L1+exp)/2,其中w表示复制窗口之一空间长度,对于藉由一种区域扩展技术,复制该标记至一个读出层,L1表示该次标记部分之长度,且exp表示一位元可由一读取层形成与扩展至该读出层之时间,乘以记录速度。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该区域扩展技术系一磁性放大磁光系统(MAMMOS)技术。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法亦包含于一记录雷射脉冲关闭前,将一磁性记录场方向,由该第一方向切换至该第二方向之步骤。9.如申请专利范围第1项中之方法,其中该方法亦包含将一磁性记录场方向,由该第一方向切换至该第二方向,且以对应于该次标记部分之该长度之一频率,产生一记录雷射脉冲之步骤。10.一种以一标记与空白型态记录资讯于一磁光记录媒体(10)之一记录磁轨上之记录装置,该装置包含:a)写入一标记之写入工具(12),藉由使该磁光记录媒体(10)之一标记通道位元之每一次标记部分,于一实质地与该记录媒体(10)之记录表面垂直之第一方向磁化,并藉由使每一标记通道位元之一相邻次空白部分,于与该第一方向相对之一第二方向磁化;及b)设定工具(22),以于该记录磁轨方向,设定该标记通道位元之次标记部分长度(L1),使其小于或等于该标记通道位元之次空白部分长度(L2)。11.如申请专利范围第10项之记录装置,其中该设定工具(22)安排为设定该次空白部分长度(L2)以及该次标记部分长度(L1)间之比例于1与4间之一范围。12.如申请专利范围第10或11项之记录装置,其中该记录装置系一磁片播放器,用于藉由一区域扩展技术读取之一磁光磁片(10)。13.一种磁光记录媒体,其中资讯以一标记与空白型态记录于一个记录磁轨上,其中每一标记通道位元包含一次标记部分,其于一个实质地与该记录媒体(10)之记录表面垂直之一第一方向磁化,及一次空白部分,其于与该第一方向相对之一第二方向磁化,且其中该次标记部分长度(L1)于该记录磁轨方向小于或等于该次空白部分长度。14.如申请专利范围第13项之磁光记录媒体,其中该磁光记录媒体系藉由一区域扩展技术读取之一磁光磁片。图式简单说明:图1显示根据较佳具体实施例之磁性放大磁光系统(MAMMOS)磁片播放器之区块图式,图2A显示对于短与长运行长度,和磁片垂直之偏离场元件与磁轨方向关系之图式,及所需抗磁性场曲线;图2B显示对于短与长运行长度及不同比例L2/L1,偏离场与磁轨方向关系之图式;图3显示指示I1载体与I5载体最小値间偏离场差距,为比例L2/L1函数之图式,及图4A至4D显示对于不同位元长度,I4载体与I1载体之偏离场。 |
