| 发明名称 | 半导体模块 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种具有高的冲击电流耐受性的半导体模块。本发明的半导体模块（10）具备由宽带隙半导体构成的开关元件（11）和与开关元件（11）反向并联连接的回流二极管（12），回流二极管（12）由硅构成并且具有负的温度特性。 | ||
| 申请公布号 | CN103178817B | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201210366646.2 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 米山玲;冈部浩之;井上贵公;酒井伸次 |
| 分类号 | H03K17/12(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体模块，其特征在于，具备：开关元件，由宽带隙半导体构成；以及回流二极管，与所述开关元件反向并联连接，所述回流二极管仅通过由硅构成并且具有负的温度特性的PiN二极管形成，进行反向恢复动作。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||