| 摘要 |
本发明系关于藉由以下制程制造一离轴基板上之单晶碳化矽外延层：将该基板置于一外延生长反应器中；在该基板上生长一第一外延碳化矽层；中断该第一外延碳化矽层之生长；蚀刻该第一外延碳化矽层以减少该第一层之厚度；并在该第一外延碳化矽层上再生长一第二外延碳化矽层。可藉由以下方法终止胡萝卜缺陷：中断该外延生长过程；蚀刻该所生长的层；并再生长一第二外延碳化矽层。可将该生长中断／蚀刻／再生长重复多次。一碳化矽外延层具有至少一终止于该外延层内的胡萝卜缺陷。一半导体结构包括一离轴碳化矽基板上的一碳化矽外延层及在该基板与该外延层间之一介面附近具有成核点且终止于该外延层内之胡萝卜缺陷。 |
