发明名称 液晶显示装置及其制造方法
摘要 〔课题〕提供一种具有简单之制造步骤与高效能之液晶显示装置及其制造方法。〔解决手段〕本发明是关于一种液晶显示装置,亦即所谓的半透型液晶显示装置,于夹有液晶层、且相对配置之1对基板中之一基板上,具有由每一画素中之反射外来光线的反射电极10、11、与使背光源的光通过之透明电极9所构成之画素电极。特别是构成上述画素电极之上述反射电极与上述透明电极间不设置绝缘层。而且,利用浓淡特性(half-tone)曝光方法,使制造步骤更为简单。
申请公布号 TWI243270 申请公布日期 2005.11.11
申请号 TW092103788 申请日期 2003.02.24
申请人 先进显示股份有限公司 发明人 中健;松井泰志;庭野泰则
分类号 G02F1/1343 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种液晶显示装置,于夹有液晶层、且相对配置之1对基板中之一基板上,具有由每一画素中之反射外来光线之反射电极、与使背光源的光通过之透明电极所构成之画素电极,其特征在于:构成上述画素电极之上述反射电极与上述透明电极间不设置绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中上述反射电极形成于最上层。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置,其中上述反射电极系由在图案形成前形成覆盖上述反射电极之导电性材料,于图案形成后去除上述导电性材料所形成。4.如申请专利范围第3项所述之液晶显示装置,其中上述反射电极系以包含铝之材料所形成,上述导电性材料系以包含铬、钼、钽、钨中之任一种的材料所形成。5.如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置,其中于上述透明电极与第一金属薄层间之连接部分、或上述透明电极与第二金属薄层间之连接部分,去除一部分之上述透明电极,并以反射电极覆盖上述部分,而使上述反射电极与上述第一金属薄层或上述第二金属薄层连接。6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置,其中于画素区中,上述反射电极包围上述透明电极。7.如申请专利范围第6项所述之液晶显示装置,其中于画素区中,上述反射电极覆盖存在于上述透明电极之高度差部分。8.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,其中于画素区中,上述反射电极覆盖上述高度差部分约2至6m。9.如申请专利范围第1、2、3、4、5、6、7或8项所述之液晶显示装置,其中于画素区中TFT区之半导体层以连续之形状残留至源极配线之底部。10.一种液晶显示装置之制造方法,于夹有液晶层、且相对配置之1对基板中之一基板上,具有由每一画素中之反射外来光线之反射电极、与使背光源的光通过之透明电极所构成之画素电极,其特征在于包括:形成透明电极之步骤;及于上述透明电极上形成反射电极,而不形成绝缘层之步骤。11.如申请专利范围第10项所述之液晶显示装置之制造方法,其中上述形成透明电极之步骤更包括:于图案形成前形成覆盖上述反射电极之导电性材料之步骤;及于图案形成后去除上述导电性材料之步骤。12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置之制造方法,其中上述反射电极系以包含铝之材料所形成,上述导电性材料系以包含铬、钼、钽、钨中之任一种之材料所形成。13.如申请专利范围第10、11或12项所述之液晶显示装置之制造方法,于夹有液晶层、且相对配置之1对基板中之一基板上,具有由每一画素中之反射外来光线之反射电极、与使背光源的光通过之透明电极所构成之画素电极,上述制造方法更包括:于绝缘性基板上形成第一金属薄层,并进行图案化之步骤;形成第一绝缘层、半导体层、欧姆接触层、与第二金属薄层之步骤;利用浓淡特性(half-tone)曝光形成光阻图案之步骤;及上述进行图案化,蚀刻上述半导体层、欧姆接触层与第二金属薄层之步骤。14.如申请专利范围第10、11或12项所述之液晶显示装置之制造方法,其中于上述进行图案化,蚀刻上述半导体层、欧姆接触层与第二金属薄层之步骤后,更包括:形成第二绝缘层之步骤;利用浓淡特性(half-tone)曝光形成凹凸图案之步骤;及上述进行图案化,蚀刻上述第一绝缘层与第二绝缘层之步骤。15.如申请专利范围第10、11或12项所述之液晶显示装置之制造方法,其中于夹有液晶层、且相对配置之1对基板中之一基板上,具有由每一画素中之反射外来光线之反射电极、与使背光源的光通过之透明电极所构成之画素电极,上述制造方法更包括:于绝缘基板上形成第一金属薄层,并进行图案化之步骤;形成第一绝缘层、半导体层、欧姆接触层、与第二金属薄层之步骤;利用浓淡特性(half-tone)曝光形成光阻图案之步骤;于上述进行图案化,蚀刻半导体层、欧姆接触层与第二金属薄层之步骤后,形成第二绝缘层之步骤;利用浓淡特性(half-tone)曝光形成凹凸图案之步骤;及上述进行图案化,蚀刻上述第一绝缘层与第二绝缘层之步骤。16.如申请专利范围第11或12项所述之液晶显示装置之制造方法,其中上述形成透明电极与反射电极之步骤包括:形成非晶质ITO之步骤;图案化非晶质ITO之步骤;使非晶质ITO转变为结晶化ITO之步骤;及形成反射电极之步骤。17.如申请专利范围第16项所述之液晶显示装置之制造方法,其中上述使非晶质ITO转变为结晶化ITO之步骤系以200℃以上之温度加热,进行ITO之结晶化。图式简单说明:第1图(a)至第1图(g)系绘示依据本发明之实施例1之液晶显示装置之制造流程图。第2图(a)至第2图(f)系绘示依据本发明之实施例2之液晶显示装置之制造流程图。第3图(a)至第3图(f)系绘示依据本发明之实施例3之液晶显示装置之制造流程图。第4图(a)至第4图(e)系绘示依据本发明之实施例4之液晶显示装置之制造流程图。第5图系绘示对有机层进行涂布、曝光与显影以形成凹凸部分时之原理图。第6图系绘示本发明中所利用之浓淡特性(half-tone)罩幕之结构图。第7图(a)至第7图(g)系绘示依据另一实施例之液晶显示装置之制造流程图。第8图系绘示依据本发明之实施例5之液晶显示装置的结构剖面图。第9图系绘示依据本发明之实施例6之液晶显示装置的结构剖面图。
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