| 主权项 |
1.一种凸块制程,至少包括:提供一晶圆,该晶圆上配置有一焊垫以及一保护层,其中该保护层系用以保护该晶圆表面并将该些焊垫表面暴露;形成一光阻于该晶圆上,该光阻具有复数个开口,其中该些开口的位置系对应于该些焊垫;形成至少一导体层于该焊垫以及该光阻上;提供一掀离薄膜,藉由该掀离薄膜将该光阻上之该导体层掀离,以于该些焊垫上方形成一球底金属层;将一焊料填入该些开口中;进行一回焊动作,以使得该焊料球化为一球体之凸块;以及将该光阻剥除。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该掀离薄膜包括一具有黏性之胶带。3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该掀离薄膜与该导体层的黏着性优于该光阻与该导体层的黏着性。4.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该导体层系为具有一黏着层、一阻障层与一沾锡层的多层结构。5.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该导体层之材质包括钛钨合金/镍钒合金/铜、铬/镍钒合金/铜、铝/镍钒合金/铜以及钛/镍钒合金/铜其中之一。6.一种球底金属层形成方法,至少包括:提供一晶圆,该晶圆上配置有一焊垫以及一保护层,其中该保护层系用以保护该晶圆表面并将该些焊垫表面暴露;形成一光阻于该晶圆上,该光阻具有复数个开口,其中该些开口的位置系对应于该些焊垫;形成至少一导体层于该焊垫以及该光阻上;以及提供一掀离薄膜,藉由该掀离薄膜将该光阻上之该导体层掀离,以于该些焊垫上方形成一球底金属层。7.如申请专利范围第6项所述之球底金属层形成方法,其中该掀离薄膜包括一具有黏性之胶带。8.如申请专利范围第6项所述之球底金属层形成方法,其中该掀离薄膜与该导体层的黏着性优于该光阻与该导体层的黏着性。9.如申请专利范围第6项所述之球底金属层形成方法,其中该导体层系为具有一黏着层、一阻障层与一沾锡层的多层结构。10.如申请专利范围第6项所述之球底金属层形成方法,其中该导体层之材质包括钛钨合金/镍钒合金/铜、铬/镍钒合金/铜、铝/镍钒合金/铜以及钛/镍钒合金/铜其中之一。图式简单说明:第1图至第7图绘示为习知凸块制程的流程剖面示意图;以及第8图至第14图绘示为依照本发明一较佳实施例凸块制程的流程剖面示意图。 |
