| 主权项 |
1.一种应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法,其步骤包含有:提供一基板;于该基板之一表面形成一金属图案,并预定该金属图案为形成薄膜电晶体之源极和汲极的位置;披覆一非晶矽膜于该基板,同时覆盖该金属图案;提供一准分子雷射光束以投射于该基板之另一表面,并穿透该基板使该非晶矽膜吸收该准分子雷射光束的能量以形成熔融状态,其中镀有该金属图案的区域则反射大部分准分子雷射光束;及再结晶该非晶矽膜以形成一复晶矽薄膜,该金属图案间隙之非晶矽膜系形成一温度梯度诱发侧向结晶生长区域,该温度梯度诱发侧向结晶生长区域系降温较为缓慢,以使该非晶矽膜由接近该金属图案之处成核,并向该温度梯度诱发侧向结晶生长区域持续进行侧向结晶至完成该复晶矽薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法,其中该准分子雷射光束系为一氯化氙(XeCl)雷射光束。3.如申请专利范围第1项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法,其中该准分子雷射光束系为一氟化氪(KrF)雷射光束。4.如申请专利范围第1项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法,其中该准分子雷射光束系为可为矽薄膜所吸收之一等效雷射光束。5.如申请专利范围第1项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法,其中该金属图案系为一铝金属图案。6.如申请专利范围第1项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法,其中该温度梯度诱发侧向结晶生长区域系为形成薄膜电晶体之闸极的位置。7.一种应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火结构,系应用于进行非晶质矽退火制程以形成复晶矽,其包含有:一基板;一金属图案,系形成于该基板之一表面,并预定该金属图案为形成薄膜电晶体之源极和汲极的位置;及一非晶矽膜,系披覆于该基板,并同时覆盖该金属图案。8.如申请专利范围第7项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火结构,其中该金属图案系为一铝金属图案。9.如申请专利范围第7项所述之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火结构,其中该金属图案的间隙系为形成薄膜电晶体之闸极的位置。图式简单说明:第1图为本发明之应用于高效能薄膜电晶体之复晶矽退火方法的实施例步骤流程图;第2图为本发明实施例之示意图;及第3图为本发明实施例之下视示意图。 |
