| 摘要 |
【课题】目的在于提供一种可回避薄膜电晶体等之半导体装置中半导体薄膜之边缘部分之电场集中现象，可提升信赖性。【解决手段】半导体装置之制造方法，系使用积层有半导体薄膜、绝缘膜及电极之构造的场效型半导体装置之制造方法，其包含以下步骤：第1步骤，系在至少一面为绝缘性之基板(10)之该一面上形成岛状半导体薄膜(12)；第2步骤，系在上述基板之一面上，以覆盖上述半导体薄膜、而且使上述半导体薄膜之上侧以外部分之膜厚大略相同或大于该半导体薄膜之膜厚之状态下形成第1绝缘膜(14)；第3步骤，用于减少上述第1绝缘膜之至少上述半导体薄膜之上侧区域之膜厚；及第4步骤，系通过膜厚被减少后之上述第1绝缘膜之上侧、通过上述半导体薄膜之特定位置之上侧而形成电极(18)。 |
