发明名称 电子式熔线及半导体装置
摘要 一种电子式熔线及其形成方法。在一基材(base material)上形成一第一层导线(conductive line)。在第一层导线上方,形成一介层窗(via)。此介层窗最好包括一阻障层及一导电材料。在介层窗上方,形成一第二层导线。形成一第一外部接合垫,此第一外部接合垫耦接至第一层导线。形成一第二外部接合垫,此第二外部接合垫耦接至第二层导线。此介层窗、第一层导线及第二层导线作为一电子式熔线。此电子式熔线可经由施加一电流将其烧毁。较佳实施例之垂直结构可形成于任何层里。
申请公布号 TW200601409 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094121584 申请日期 2005.06.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郑光茗;郑钧隆;刘重希;庄学理;吴显扬;陈曦白
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号