在包含SOI及矽块区域的半导体元件中形成STI的方法STI FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SOI AND BULK SILICON REGIONS

摘要

本发明揭示一种用以在一绝缘层上覆矽层(SOI)区域及一矽块区域中生成或蚀刻矽沟渠隔离层(STI)的方法；及一种以该方法形成的半导体元件。该STI可在该SOI与矽块区域中被同时蚀刻，其系藉由一STI遮罩蚀刻至一最上方矽层，执行一可在该矽块区域中达欲求深度并停止在该SOI区域一埋设的氧化绝缘层的计时蚀刻，且蚀刻穿过该SOI区域中该埋设的绝缘层。为此目的所进行之该埋设的绝缘层蚀刻可在复杂度很低的情况下实施，作为一移除应遮罩步骤的一部份。此外，藉由为矽块及SOI区域选择相同深度，也可避免在一后续的CMP制程中出现问题。本发明也可用来清洁该SOI与矽块间可能留有氮化矽残余物的边界区域。