| 主权项 |
1.一种开口的形成方法,包括: 于该基底上形成一垫氧化层; 进行一氮化步骤,以使该垫氧化层氮化,而形成一 含氮的垫氧化层; 于该含氮的垫氧化层上形成一罩幕材料层; 图案化该罩幕材料层,而形成一图案化之罩幕层; 以及 以该图案化之罩幕层为一蚀刻罩幕,蚀刻该含氮的 垫氧化层及该基底,而于该基底中形成一开口。 2.如申请专利范围第1项所述之开口的形成方法,其 中该含氮之垫氧化层的氮化程度系由该含氮之垫 氧化层的顶部往其底部逐渐减少。 3.如申请专利范围第1项所述之开口的形成方法,其 中该氮化步骤所使用的反应气体包括一含氮气体 。 4.如申请专利范围第3项所述之开口的形成方法,其 中该含氮气体包括氨气。 5.如申请专利范围第1项所述之开口的形成方法,其 中该罩幕材料层的形成方法包括进行一化学气相 沈积制程,且该氮化步骤与该化学气相沈积制程系 于同一反应室中进行。 6.一种开口的形成方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有图案化之一垫氧化 层与一罩幕层,并且暴露出该基底表面; 进行一氮化步骤,以将该垫氧化层之棵露的侧壁氮 化,而形成一氮氧化矽层;以及 以该罩幕层为一蚀刻罩幕,进行一蚀刻步骤,而于 该基底中形成一开口。 7.如申请专利范围第6项所述之开口的形成方法,其 中该氮化步骤所使用的反应气体包括氨气。 8.如申请专利范围第6项所述之开口的形成方法,其 中该氮化步骤更包括使裸露的该基底表面氮化,而 于该基底表面形成一氮化矽层,且在进行该蚀刻步 骤时,该基底表面上之该氮化矽层会一并被移除。 9.一种开口的形成方法,包括: 进行一热氧化制程,以于一基底上形成一含氮的垫 氧化层,且于该热氧化制程中系通入氧气与一含氮 气体,其中该含氮气体包括一氧化二氮(N2O); 于该含氮的垫氧化层上形成一图案化之罩幕层;以 及 以该图案化之罩幕层为一蚀刻罩幕,蚀刻该含氮的 垫氧化层及该基底,而于该基底中形成一开口。 10.如申请专利范围第9项所述之开口的形成方法, 其中该含氮之垫氧化层的氮化程度系由该含氮之 垫氧化层的顶部往其底部逐渐减少。 图式简单说明: 图1A至图1D所示,其绘示依照本发明之第一实施例 的一种形成开口的流程剖面示意图。 图2A至图2C所示,其绘示依照本发明之第二实施例 的一种形成开口的流程剖面示意图。 图3A至图3B所示,其绘示依照本发明之第三实施例 的一种形成开口的流程剖面示意图。 图4A至图4B所示,其绘示依照本发明之第四实施例 的一种形成开口的流程剖面示意图。 图5A至图5F所示,其绘示应用本发明之第四实施例 的方法以形成深沟渠式电容器之制造流程剖面示 意图。 |
