| 主权项 |
1.一种执行非均质缩小贴图(mip-mapping)之方法,包括 : 将一目标像素所需之纹理,映射至在一较高解析度 纹理阵列中的一或多绘点,在该较高解析度纹理阵 列中的一支援区系由一般系为一椭圆的一长轴与 一短轴所定义,而且其中一详细程度(LOD)系由该短 轴计算而得;以及 使用来自该较高解析度纹理阵列中的该些绘点,沿 着一轴执行一过滤函数,藉以模拟使用来自该较高 解析度纹理阵列与具有一较低解析度的一第二绘 点阵列的该些绘点的一过滤效果。 2.如申请专利范围第1项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中执行过滤函数之该步骤包括: 使用来自该较高解析度纹理阵列的该些绘点,推导 出该较低解析度纹理阵列的该些绘点; 内插该较高解析度纹理阵列的该些绘点,以成形一 第一混合绘点; 内插该较低解析度纹理阵列的该些绘点,以成形一 第二混合绘点;以及 内插该第一混合绘点与该第二混合绘点,以产生一 用于该目标像素的纹理。 3.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中使用来自该较高解析度纹理阵列的 该些绘点,推导出该较低解析度纹理阵列的该些绘 点之该步骤包括:根据在该较高解析度纹理阵列中 的该目标像素的该映射位置,过滤在该较高解析度 纹理阵列中的复数个邻近绘点,以推导出在该较低 解析度纹理阵列中的该些绘点。 4.如申请专利范围第3项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中系使用在该较高解析度纹理阵列中 的四邻近绘点,来推导出在该较低解析度纹理阵列 中的两邻近绘点。 5.如申请专利范围第4项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中在该较高解析度纹理阵列中的一对 邻近绘点会被过滤,藉以提供一在该较低解析度纹 理阵列中的单一绘点。 6.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中使用来自该较高解析度纹理阵列的 该些绘点,推导出该较低解析度纹理阵列的该些绘 点之该步骤包括:根据在该较高解析度纹理阵列中 的该目标像素的该映射位置,对在该较高解析度纹 理阵列中的该些邻近绘点取平均値,以推导出在该 较低解析度纹理阵列中的该些绘点。 7.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中内插该较高解析度纹理阵列的该些 绘点,以成形一第一混合绘点之该步骤包括:根据 在该较高解析度纹理阵列中的该目标像素的该映 射位置,双线性地(bilinearly)内插该些邻近绘点。 8.如申请专利范围第7项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中系根据在一选定绘点中的该目标像 素的该位置,内插该目标像素所映射至之该选定绘 点与一邻近绘点。 9.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中内插该较高解析度纹理阵列的该些 绘点,以成形一第一混合绘点之该步骤包括:成形 一第一乘积Uf*TB与一第二乘积(1-Uf)TC之和,其中Uf代 表在该较高解析度纹理阵列中的该目标像素的一 座标位置,且TB与TC系为在该较高解析度纹理阵列 中的该些邻近绘点。 10.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中内插该较低解析度纹理阵列的该些 绘点,以成形一第二混合绘点之该步骤包括:根据 在该较低解析度纹理阵列中的该目标像素的该映 射位置,双线性地内插该些邻近绘点。 11.如申请专利范围第9项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中系根据在一选定绘点中的该目标像 素的该位置,内插该目标像素所映射至之该选定绘 点与一邻近绘点。 12.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中内插该较低解析度纹理阵列的该些 绘点,以成形一第二混合绘点之该步骤包括:成形 一第一乘积m*TAB与一第二乘积(1-m)TCD之和,其中m = 1 /2Uf + 1/4,系代表在该较低解析度纹理阵列中的该 目标像素的一座标位置,且TAB与TCD系为在该较低解 析度纹理阵列中的该些邻近绘点。 13.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中内插该第一混合绘点与该第二混合 绘点,以产生一用于该目标像素的纹理之该步骤包 括:根据用来指示在包含该高解析度纹理阵列与该 较低解析度纹理阵列的该些绘点之间的该详细程 度的一参数,双线性地内插该第一混合绘点与该第 二混合绘点。 14.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中内插该第一混合绘点与该第二混合 绘点,以产生一用于该目标像素的纹理之该步骤包 括:成形一第一乘积(Df)*该第一混合绘点与一第二 乘积(1-Df)*该第二混合绘点之和,其中Df系为指示该 详细程度的该参数,当Df为0时,该详细程度系对应 至该较低解析度纹理阵列,而当Df为1时,该详细程 度系对应至该较高解析度纹理阵列。 15.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中会在该较高解析度纹理阵列中的一 第一方向,取样一第一个数的绘点,并且在该较高 解析度纹理阵列中的一第二方向,取样一第二个数 的绘点,藉以在该第一方向成形该些第一混合像素 ,与在该第二方向成形该些第一混合像素,以及在 该第一方向成形该些第二混合像素,与在该第二方 向成形该些第二混合像素,其中该第一个数系与该 第二个数不同。 16.如申请专利范围第2项所述之执行非均质缩小贴 图之方法,其中该目标像素颜色是根据下列公式所 混合,目标像素颜色=WSi*ColorSi,其中i为从1到该些 样本的个数,WSi=1代表i的値从1到该些样本的个 数,WSi为一第i个样本的一加权函数,而且ColorSi为该 第i个样本的该混合颜色。 17.如申请专利范围第16项所述之执行非均质缩小 贴图之方法,其中该第i个样本的该混合颜色ColorSi 系根据下列公式所混合,ColorSi=Wuv*Color(u,v),对该 第i个样本而言,u为从0到3,且v为从0到3, 其中Color(u,v)为在该相同缩小贴图层上对应于Wuv的 一颜色,Wuv=1,u为从0到3,且v为从0到3,且Wuv为该颜 色的一加权系数。 18.如申请专利范围第17项所述之执行非均质缩小 贴图之方法,其中该些加权系数系为如下所示的一 加权系数阵列的元素, 其中Uf,Vf分别为在方向u与v上的位置参数,且Df为该 详细程度的一部分値。 图式简单说明: 图1系绘示一个习知的纹理贴图。 图2系绘示一个根据本发明的纹理贴图。 图3A系绘示在习知技艺中读取一条快取线的单一 样本范例(最佳状况)。 图3B系绘示在本发明中读取一条快取线的单一样 本范例(最佳状况)。 图4A系绘示在习知技艺中读取一条快取线的单一 样本范例(最差状况)。 图4B系绘示在本发明中读取一条快取线的单一样 本范例(最差状况)。 图5A系绘示在习知技艺中读取一条快取线的双样 本范例(最佳状况)。 图5B系绘示在本发明中读取一条快取线的双样本 范例(最佳状况)。 图6A系绘示在习知技艺中读取一条快取线的双样 本范例(最差状况)。 图6B系绘示在本发明中读取一条快取线的双样本 范例(最差状况)。 图7A系绘示在习知技艺中读取一条快取线的八样 本范例。 图7B系绘示在本发明中读取一条快取线的八样本 范例。 图8系绘示一个用来说明本发明所有步骤的流程图 。 图9A系绘示在根据本发明的一阶范例中所用的参 数。 图9B系绘示在根据本发明的二阶范例中所用的参 数。 图10系绘示用来实现本发明一实施例的一绘图系 统的方块图。 图11系详细绘示纹理快取与纹理贴图引擎的较佳 实施例的方块图。 |
