发明名称 光罩修正方法
摘要 一种光罩修正方法,系用以修正光罩中不正确的遮光缺陷,待修补之光罩包含透光基材、光罩图案与透光区,光罩图案与透光区形成于透光基材表面,且透光区内具有遮光缺陷,其修正流程系于透光基材表面涂布保护层,以覆盖光罩图案与透光区,再以能量束或微探针等方式去除对应遮光缺陷处的保护层,露出遮光缺陷表面,最后,进行蚀刻程序,去除未被保护层覆盖之遮光缺陷。
申请公布号 TWI249647 申请公布日期 2006.02.21
申请号 TW093133860 申请日期 2004.11.05
申请人 中华凸版电子股份有限公司 发明人 刘觐铭;李嘉政;王櫂烜;黄志忠;海野浩昌
分类号 G03F7/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼
主权项 1.一种光罩修正方法,其步骤包含有: 提供一光罩,其包含一透光基材、一光罩图案与一 透光区,该光罩图案系形成于该透光基材表面以遮 断光线,使该透光基材表面未被该光罩图案遮蔽的 区域形成该透光区,该透光区具有一遮光缺陷; 涂布一保护层于该透光基材表面,以覆盖该光罩图 案与该透光区; 以一能量束移除对应该遮光缺陷处的该保护层,以 露出该遮光缺陷表面;及 进行一蚀刻程序,去除未被该保护层覆盖之该遮光 缺陷。 2.如申请专利范围第1项所述之光罩修正方法,其中 该能量束系选自雷射光束及电子束所组成的族群 其中之一。 3.如申请专利范围第1项所述之光罩修正方法,其中 该透光基材系为石英玻璃基材。 4.如申请专利范围第1项所述之光罩修正方法,其中 该光罩图案之材料系选自铬、氧化铬及其组合所 组成的族群其中之一。 5.如申请专利范围第1项所述之光罩修正方法,其中 该保护层系为一透光保护层。 6.如申请专利范围第5项所述之光罩修正方法,其中 该透光保护层系为透光抗蚀刻材质。 7.如申请专利范围第1项所述之光罩修正方法,其中 该蚀刻程序系为一等向性蚀刻。 8.如申请专利范围第7项所述之光罩修正方法,其中 该等向性蚀刻系为湿蚀刻。 9.如申请专利范围第1项所述之光罩修正方法,其中 该进行一蚀刻程序之后,更包含一移除该保护层的 步骤。 10.一种光罩修正方法,其步骤包含有: 提供一光罩,其包含一透光基材、一光罩图案与一 透光区,该光罩图案系形成于该透光基材表面以遮 断光线,使该透光基材表面未被该光罩图案遮蔽的 区域形成该透光区,该透光区具有一遮光缺陷; 涂布一保护层于该透光基材表面,以覆盖该光罩图 案与该透光区; 以一微探针移除对应该遮光缺陷虚的该保护层,以 露出该遮光缺陷表面;及 进行一蚀刻程序,去除未被该保护层覆盖之该遮光 缺陷。 11.如申请专利范围第10项所述之光罩修正方法,其 中该透光基材系为石英玻璃基材。 12.如申请专利范围第10项所述之光罩修正方法,其 中该光罩图案之材料系选自铬、氧化铬及其组合 所组成的族群其中之一。 13.如申请专利范围第10项所述之光罩修正方法,其 中该保护层系为一透光保护层。 14.如申请专利范围第13项所述之光罩修正方法,其 中该透光保护层系为透光抗蚀刻材质。 15.如申请专利范围第10项所述之光罩修正方法,其 中该蚀刻程序系为等向性蚀刻。 16.如申请专利范围第15项所述之光罩修正方法,其 中该等向,性蚀刻系为湿蚀刻。 17.如申请专利范围第10项所述之光罩修正方法,其 中该进行一蚀刻程序之后,更包含一移除该保护层 的步骤。 图式简单说明: 第1A图至第1E图为本发明实施例之光罩修正方法的 流程截面示意图。
地址 桃园县八德市和平路1127之3号