| 主权项 |
1.一种覆晶构装制造方法,其步骤包含: 取得透明基板; 布植电路布局层于该透明基板之第一面之预定区 域; 置备晶片; 设置接合垫于该晶片与该透明基板之该电路布局 层之间;及 结合该晶片于已布植电路之该透明基板之该第一 面,且该晶片透过该接合垫连接至该透明基板之该 电路布局层。 2.如申请专利范围第1项之覆晶构装制造方法,其中 包括:沿该晶片之周围不连续设置该接合垫,通过 涂布一密封胶于该接合垫周围,该密封胶并同时连 接至该晶片与该透明基板,以密闭形成一空夹层于 该晶片与该透明基板之间。 3.如申请专利范围第2项之覆晶构装制造方法,其中 包括:抽真空形成该空夹层、自然充满空气形成该 空夹层或灌注惰性气体形成该夹层。 4.如申请专利范围第2项之覆晶构装制造方法,其中 包括:以金凸块(Golden Bump)或异方性导电胶( Anisotropic Conductive Film and paste, ACF)等导电材料制作 该接合垫。 5.如申请专利范围第1项之覆晶构装制造方法,其中 包括:沿该晶片之周围呈圈围状设置该接合垫,密 闭形成一空夹层于该晶片与该透明基板之间。 6.如申请专利范围第5项之覆晶构装制造方法,其中 包括:抽真空形成该空夹层、自然充满空气形成该 空夹层或灌注惰性气体形成该夹层。 7.如申请专利范围第5项之覆晶构装制造方法,其中 包括:交错制作导电材料与不导电材料成该接合垫 。 8.如申请专利范围第7项之覆晶构装制造方法,其中 包括:以金凸块(Golden Bump)或异方性导电胶( Anisotropic Conductive Film and paste, ACF)做为该导电材料 。 9.如申请专利范围第1项之覆晶构装制造方法,其中 包括:预先成型该接合垫于该晶片或该透明基板之 该电路布局层上。 10.如申请专利范围第1项之覆晶构装制造方法,其 中包括:以光学玻璃或石英制作该透明基板。 11.如申请专利范围第1项之覆晶构装制造方法,其 中包括:布设电磁波反射层于该透明基板之第二面 ,该电磁波反射层系反射特定波长范围之电磁波, 该第二面系与该第一面相对。 12.如申请专利范围第11项之覆晶构装制造方法,其 中包括:镀设有红外线滤光膜于该透明基板之该第 二面。 13.如申请专利范围第1项之覆晶构装制造方法,其 中包括:以该晶片具有微透镜阵列之一面,面对该 透明基板之该第一面。 14.如申请专利范围第13项之覆晶构装制造方法,其 中该晶片系为具有像素阵列之光感测器,该像素阵 列系分别对应于该微透镜阵列;或该晶片系由复数 排列之发光二极体所组成,该发光二极体系分别对 应于该微透镜阵列。 15.一种覆晶构装装置,系包含: 透明基板,系具有第一面,且该第一面具有可接合 之电路布局区域; 接合垫,系设置于该透明基板之该电路布局区域之 下方;及 晶片,系透过该接合垫连接至该透明基板之该电路 布局区域。 16.如申请专利范围第15项之覆晶构装装置,其中该 接合垫系呈不连续设置。 17.如申请专利范围第16项之覆晶构装装置,系进一 步包括涂布于该接合垫之周围之一密封胶,该密封 胶并同时连接至该晶片与该透明基板,以密闭形成 一空夹层于该晶片与该透明基板之间。 18.如申请专利范围第17项之覆晶构装装置,其中该 空夹层系为真空层、空气层或惰性气体层。 19.如申请专利范围第18项之覆晶构装装置,其中该 接合垫系为金凸块(Golden Bump)或异方性导电胶( Anisotropic Conductive Film and paste, ACF)等导电材料所制 成。 20.如申请专利范围第15项之覆晶构装装置,其中该 接合垫系呈圈围状设置,密闭形成一空夹层于该晶 片与该透明基板之间。 21.如申请专利范围第20项之覆晶构装装置,其中该 接合垫系为导电材料与不导电材料交错制成。 22.如申请专利范围第21项之覆晶构装装置,其中该 导电材料系为金凸块(Golden Bump)或具方性导电胶( Anisotropic Conductive Film and paste, ACF)。 23.如申请专利范围第15项之覆晶构装装置,其中该 接合垫系预先成型于该晶片或该透明基板之该电 路布局层上。 24.如申请专利范围第15项之覆晶构装装置,其中该 透明基板为光学玻璃或石英所制成。 25.如申请专利范围第15项之覆晶构装装置,其中该 透明基板于第二面具有电磁波反射层,可反射特定 波长范围之电磁波,该第二面系与该第一面相对。 26.如申请专利范围第25项之覆晶构装装置,其中该 电磁波反射层系为红外线滤光膜。 27.如申请专利范围第15项之覆晶构装装置,其中该 晶片系具有微透镜阵列,该微透镜阵列面对该透明 基板之该第一面。 28.如申请专利范围第27项之覆晶构装装置,其中该 晶片系为具有像素阵列之光感测器,该像素阵列系 分别对应于该微透镜阵列;或该晶片系由复数排列 之发光二极体所组成,该发光二极体系分别对应于 该微透镜阵列。 图式简单说明: 第一A图,系为第一习知之光电晶片封装构造之侧 视示意图; 第一B图,系为该第一习知之光电晶片封装构造经 后段模组制程后之侧视示意图; 第二A图,系为第二习知之光电晶片封装构造之侧 视示意图; 第二B图,系为该第二习知之光电晶片封装构造经 后段模组制程后之侧视示意图; 第三图,系为本发明覆晶构装制造方法之流程图; 及 第四A图,系为本发明之覆晶构装装置于透明基板 未切割之示意图; 第四B图,系为本发明覆晶构装装置之侧视示意图; 第四C图,系为本发明覆晶构装装置之仰视示意图; 第四D图,系为本发明覆晶构装装置之俯视示意图; 第四E图,系为本发明覆晶构装装置之放大示意图; 及 第四F图,系为本发明覆晶构装装置之另一实施例 之构造示意图。 |
