发明名称 WAFER PRODUCING METHOD
摘要 본 발명은, 잉곳으로부터 효율적으로 웨이퍼를 생성할 수 있는 웨이퍼의 생성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 육방정 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여, 잉곳의 표면에 평행한 개질층 및 상기 개질층으로부터 신장되는 크랙을 형성하여 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 단계를 포함한다. 분리 기점 형성 단계는, 표면의 수선에 대하여 c축이 오프각만큼 기울고, 표면과 c면 사이에 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 레이저 빔의 집광점을 상대적으로 이동시켜 직선형의 개질층을 형성하는 개질층 형성 단계를 포함한다. 개질층 형성 단계는, 레이저 빔의 편광면을 가공 방향에 맞춰 레이저 빔을 조사한다.
申请公布号 KR20160119716(A) 申请公布日期 2016.10.14
申请号 KR20160042087 申请日期 2016.04.06
申请人 DISCO CORPORATION 发明人 HIRATA KAZUYA;TAKAHASHI KUNIMITSU;NISHINO YOKO
分类号 H01L21/78;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/76 主分类号 H01L21/78
代理机构 代理人
主权项
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