| 摘要 |
본 개시내용의 실시형태들은 박막 트랜지스터 엘리먼트들을 실리콘(Si)에서 실리콘 게르마늄(SiGe)으로 변환시키는 것과 관련된 기술들 및 구성들을 제공한다. 한 실시형태에서, 방법은 반도체 기판 상에 배치된 트랜지스터 디바이스의 채널 몸체 를 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계 - 상기 채널 몸체는 실리콘을 포함함 -, 채널 몸체 상에 게르마늄을 포함하는 클래딩 층을 형성하는 단계, 및 게르마늄이 채널 몸체 내로 확산되게 하도록 채널 몸체를 어닐링하는 단계를 포함한다. 다른 실시형태들이 설명되고/설명되거나 청구될 수 있다. |
