发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 미세화에 적합한 반도체 장치. 반도체 장치의 제작 방법은, 반도체를 형성하는 단계, 반도체 위에 제 1 도전체를 형성하는 단계, 제 1 도전체에 제 2 가공을 행하여 제 1 패턴에 따라 도전체를 형성하는 단계, 제 1 패턴을 가지는 도전체 위에 제 1 절연체를 형성하는 단계, 제 1 절연체에 개구를 형성하는 단계, 개구에서 제 1 패턴을 가지는 도전체에 제 3 가공을 행하여 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하고, 또한 반도체를 노출시키는 단계, 제 1 절연체, 개구의 내벽, 및 반도체의 노출되어 있는 부분 위에 제 2 절연체를 형성하는 단계, 제 2 절연체 위에 제 2 도전체를 형성하는 단계, 및 제 2 도전체에 제 4 가공을 행하여 제 3 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20160132982(A) 申请公布日期 2016.11.21
申请号 KR20167028539 申请日期 2015.03.03
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 ENDO YUTA;NODA KOSEI
分类号 H01L29/786;H01L27/12;H01L29/66 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
地址