摘要 |
고속 석출 반응이면서도 다결정 실리콘 표면의 팝콘 발생을 억제하고, 분말의 발생에 의한 중금속 오염, 돌기상 이상 석출이 없는 다결정 실리콘 막대를 얻는 기술을 제공한다. 원료의 가스 공급 노즐(9)은, 원반상 바닥판(5)의 중앙에 중심을 갖는 가상의 동심원(면적(S)의 바닥판(5)의 절반의 면적(S))의 내측에 배치된다. 가스 공급 노즐(9)로부터는, 원료 가스가 150m/초 이상의 유속으로 벨자(1) 내로 분출된다. 도 3에 나타낸 예에서는 가스 공급 노즐(9)은 4개 설치되어 있지만, 어느 경우에도, 가스 공급 노즐(9)은 동심원(C)의 내측에 배치되어 있다. 도 3에 나타낸 예에서는 바닥판(5)의 중앙부에 설치된 가스 공급 노즐(9)에 더하여, 당해 중앙부의 가스 공급 노즐(9)을 중심으로 하는 외접원(E)에 접하는 정삼각형의 정점의 위치에, 3개의 가스 공급 노즐(9)이 배치되어 있다. 이와 같은 가스 공급 노즐 배치에 의해 반응로 내에서 원활한 순환 흐름이 형성된다. |