选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法

摘要

本发明提供一种选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，至少包括以下步骤：1）晶片预清洗；2）将预清洗后的晶片装入反应腔，通入氢气并将晶片加热到预设温度，使氢气与晶片表面的自然氧化层发生反应以去除所述自然氧化层；3）紧接着将氯化氢气体喷到晶片表面，使氯化氢与晶片表面的金属杂质反应以溶解所述金属杂质；4）将反应腔抽真空以去除多余的氢气、氯化氢以及前两步中反应后的杂质；5）将晶片温度调整到锗硅外延生长温度并往所述反应腔内通入氢气载气和氯化氢选择气体。本发明的晶片预处理方法利用现有设备中的氯化氢气路，氯化氢处理发生于反应腔内，处理时间短，工艺简单，能大大提高晶片的洁净度，保证后续锗硅外延层的质量。

主权项

一种选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法，其特征在于，所述晶片预处理方法至少包括以下步骤：1)晶片预清洗；2)将预清洗后的晶片装入反应腔，通入氢气并将晶片加热到预设温度，使氢气与晶片表面的自然氧化层发生反应以去除所述自然氧化层；3)紧接着利用后续的外延锗硅工艺中采用的氯化氢气路将氯化氢气体喷到晶片表面，使氯化氢与晶片表面的金属杂质反应以溶解所述金属杂质；喷氯化氢气体时晶片温度保持在500～850℃；4)将反应腔抽真空以去除多余的氢气、氯化氢以及所述步骤2)、3)中反应后的杂质；5)将晶片温度调整到锗硅外延生长温度并往所述反应腔内通入氢气载气和氯化氢选择气体。