一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构

摘要

本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N₂也可以是GaCl与N₂的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。

主权项

一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包含第一通道和第二通道，所述第二通道位于第一通道的中心位置，其特征为：所述第二通道由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等，第一通道通入气体为气相沉积反应物气体GaCl；所述第二通道通入气体是N₂或是GaCl与N₂的混合气体。