| 主权项 |
1﹒在非坩埚区域中熔触使半导体杆之两末端系紧于处理容器之垂直位置,将涂料覆于结晶半导体杆之方法,其中熔触区域乃于杆上利用围绕于半导体杆上之感应加热线圈,使之围绕在杆之长度上,而涂布料系直接供给于熔触区域,其中预先驱使其涂布于薄状结晶半导体杆,使用当为底涂料,依所需涂覆之水平面,在一定之给入速率下,供给于熔触区域,而使之融于半导体杆为其特征者。2﹒如请求专利部份第1项之方法,其中该涂料薄杆系同时旋转而使之熔于半导体杆者。3﹒如请求专利部份第1项或第2项之方法,其中,感应加热线圈为扁平形而具有一管式嵌入物给入于涂料薄棒者。4﹒如请求专利部份第1至3项中之任何一项之方法,其中涂料薄棒之直径范围为2至10毫厘米者。5﹒如以上请求专利部份之任何一项之方法,其中涂料薄棒之电阻系数系在10─3至10欧姆﹒厘米范围者。6﹒如以上请求专利部份之任何一项之方法,其中涂料薄棒之给入速率为每公钟1至10毫厘米者。7﹒以实施请求专利部份第1项至第6项中任何一项方法之装置,包括一种具有空气入口与出口孔之抽空处理容器,使结晶半导体杆垂直固持于容器之底面与上盖,感应加热圈系以环式使之围绕于结晶之半导体杆上,供电流于感应圈经过容器之壁面,气密状之输送管则经由该容器壁面而给入于涂料薄棒,关闭容器外面上末端之输送管而铁磁心则位于输送管内,使之系结于输送管内之涂料薄棒末端。该铁磁心则与设置于输送管和容器外面之驱动电磁体连结为其特征者。8﹒如请求专利部份第7项之装置,其中给入于涂料薄棒之输送管系由非磁性金属所制成者。9﹒如请求专利部份第7项或第8项之装置,其中构成元件乃利用涂料薄棒旋转及轴向位移于输送管之内者。10﹒如请求专利部份第7至9项中任何一项之装置,其中感应加热线圈衬以石英而有一金属管式嵌入物之扁平线圈,可作给入于涂料薄棒之用者。11﹒如请求专利部份第7至第9项中任何一项之装置,其中感应加热线圈,包括一单转或复转之布置向内伸嵌入于线圈之中央,以及设计供有可资冷装置,嵌入物呈环状与两半状,而提供有一种嵌衬金属嵌入物可作内嵌入物一半之供给入于涂料薄棒之用者。12﹒如请求专利部份第7至9项中任何一项之装置,其中感应加热线圈至少包括有一圆形剖面匝,涂料薄棒之给入元件乃固结于匝内之最内部者。13﹒如请求专利部份第10至12项中任何一项之装置,其中,在线圈中之管式嵌入物乃由铜或银所组成者。14﹒如请求专利部份第13项之装置,其中管式嵌入物系以硬杆连结于线圈者。15﹒一种在非坩埚区域熔解中使用涂料物质涂覆于半导体结晶为其目的之方法,实质上乃如说明书与图式所详述者。16﹒涂料、结晶半导杆乃由请求专利部份第1至6项及第15项中任何一项所制成者。17﹒一种在非坩埚区域熔解中使用涂料物质涂覆于半导体结晶为其目的之装置,实质上乃如图式上与说明书所详述者。 |
