| 摘要 |
용매-열 방법 (solvo-thermal method)을 사용하여 고품질 벌크 육방정 단결정 (bulk hexagonal single crystal)을 성장시키는 기술, 및 동시에 고품질 및 빠른 속도를 달성하는 기술이 개시된다. 결정 품질은 성장 평면에 강하게 의존하는데, 여기서 비극성 또는 반극성 시드 표면 (seed surface)은 c-평면 시드 표면과 비교하여 더 고품질의 결정을 가져온다. 또한, 성장 속도는 성장 평면에 강하게 의존하는데, 여기서 반극성 시드 표면은 더 빠른 성장 속도를 가져온다. 적절한 성장 평면을 선택함으로써 동시에 고품질 결정 (high crystal quality) 및 빠른 성장 속도가 달성될 수 있다. 비극성 또는 반극성 시드 표면 RMS 거칠기가 100 nm 보다 작은 경우 고품질 결정이 달성가능하며; 반면, 원자적으로 매끈한 표면으로부터 성장되더라도, Ga-면 또는 N-면으로부터 성장한 결정은 불량한 결정 품질의 결과가 된다. |
