| 摘要 |
본 발명의 목적은 반응성 기체와 기체 상태의 붕소 전구체의 캐리어 기체를 도입하기 위한 수단이 배치되고, 한 끝단이 벽을 포함하는 로의 챔버 내에서 기판에 놓인 실리콘 웨이퍼의 P-형 붕소 도핑 방법이며, 상기 방법은 a) 챔버 내에서, 반응성 기체를 캐리어 기체 내에 희석된 삼염화 붕소 BCl와 1 kPa 내지 30 kPa의 압력 및 800℃ 내지 1100℃의 온도에서 반응시켜 붕소 산화물 BO유리 층을 형성하는 단계, b) N+ O대기 및 1 kPa 내지 30 kPa의 압력 하에서 실리콘 내 원소 붕소의 확산을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 도핑 방법을 수행하기 위하여 설계된 로 뿐만 아니라 이의 응용-특히 광전지 응용을 위한, 대규모의 붕소-도핑된 실리콘 슬라이스의 제조-가 또한 청구된다. |
