| 摘要 |
거리 화상 센서(1)는 광입사면(1BK) 및 광입사면(1BK)과는 반대측의 표면(1FT)을 가지는 반도체 기판(1A), 포토 게이트 전극(PG), 제1 및 제2 게이트 전극(TX1, TX2), 제1 및 제2 반도체 영역(FD1, FD2), 및 제3 반도체 영역(SR1)을 구비한다. 포토 게이트 전극(PG)은 표면(1FT)상에 마련된다. 제1 및 제2 게이트 전극(TX1, TX2)은 포토 게이트 전극(PG)에 인접해서 마련된다. 제1 및 제2 반도체 영역(FD1, FD2)은 각 게이트 전극(TX1, TX2)의 바로 아래 영역으로 흘러드는 전하를 축적한다. 제3 반도체 영역(SR1)은 제1 및 제2 반도체 영역(FD1, FD2)으로부터 광입사면(1BK)측에 이격되어 마련되고, 제1 및 제2 반도체 영역(FD1, FD2)과 역의 도전형이다. |
