| 摘要 |
본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 내부의 감압이 가능하고, 상기 내부에서 피처리체에 대해 플라즈마 처리되도록 구성된 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되어 상기 피처리체를 재치하는 평판형의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 대해 제 1 주파수의 바이어스 전압이 인가되도록 구성된 제 1 고주파 전원과, 상기 챔버 외부에 배치되어 상기 챔버의 덮개를 형성하는 석영판을 사이에 두고 상기 제 1 전극과 대향하도록 배치된 나선형의 제 2 전극과, 상기 덮개 또는 그 근방에 배치된 가스 도입구에서 상기 챔버 내에 불소를 함유하는 프로세스 가스를 도입하는 가스 도입 수단을 구비하고, 상기 제 2 전극에 대해 제 2 주파수의 교류 전압을 인가하는 제 2 고주파 전원과, 상기 제 2 주파수보다 높은 제 3 주파수의 교류 전압을 인가하는 제 3 고주파 전원이 전기적으로 연결되어 있어서, 2 종류의 교류 전압이 동시에 인가되도록 구성되어 있다. |
