一种制作金属栅极的方法

摘要

本发明公开了一种制作金属栅极的方法，该方法包括：在制作金属栅极过程中，采用电镀的方式形成金属栅极层，该金属栅极层采用钛铝合金，这与形成功函数金属层所采用的沉积方式不同，则金属含量不同，在MOSFET工作时，扩散到p型MOSFET的阻挡层和n型MOSFET的扩散量也不同，对于p型沟道MOSFET和n型沟道MOSFET金属栅极层中的铝扩散到功函数金属层的离子数量不同，这样，在保证p型沟道MOSFET的功函数值达到极值时，提高性能，n型沟道MOSFET的第二阻挡层中从金属栅极层所扩散的铝也比较少，不会降低阻挡层的介电常数值，从而使得不会降低性能。因此，本发明提供的方法可以使得所制作的MOSFET器件的总体性能提高。

主权项

一种制作金属栅极的方法，其特征在于，该方法包括：提供CMOS器件，刻蚀CMOS器件上方的第一阻挡层后，露出替代栅极；去除所述CMOS器件中的p型沟道MOSFET的替代栅极后，填充p型沟道MOSFET的第一功函数金属层和第二阻挡层；在第二阻挡层上方采用电镀的方式电镀钛铝合金，采用化学机械平坦化CMP后得到第一钛铝合金金属栅极层；去除所述CMOS器件中的n型沟道MOSFET中的裸露的替代栅极后，填充n型沟道MOSFET的第二功函数金属层和第三阻挡层；在第三阻挡层上方采用电镀的方式电镀钛铝合金，采用CMP后得到第二钛铝合金金属栅极层；在第三阻挡层上方采用电镀的方式电镀钛铝合金的过程为：采用烷基或烃基铝溶液进行电镀，控制该铝溶液的含铝量，得到设定铝含量的第二钛铝合金金属栅极层，该第二钛铝合金金属栅极层中铝的含量小于该第一钛铝合金金属栅极层。