CuGa MANUFACTURING METHOD OF HIGH DENSITY CuGa TARGET

摘要

본 발명은 Ga: 15~25 중량%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 CuGa 분말을 200~320℃의 온도에서 1~24시간 동안 열처리 하는 단계; 및 상기 CuGa 분말을 기판에 저온분사하여 CuGa 타겟을 형성하는 단계를 포함하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법을 제공한다.