Semiconductor device and method for manufacturing the same

摘要

본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 그의 상부에 활성 패턴을 갖는 기판; 상기 활성 패턴을 가로지르는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극 상의 캡핑 구조체를 포함할 수 있다. 이때, 상기 캡핑 구조체는, 상기 게이트 전극 상에 순차적으로 적층된 제1 캡핑 패턴 및 제2 캡핑 패턴을 포함하고, 상기 제2 캡핑 패턴은 상기 제1 캡핑 패턴의 상면을 완전히 덮으며, 상기 제2 캡핑 패턴의 유전 상수는 상기 제1 캡핑 패턴의 유전 상수보다 더 높을 수 있다.