发明名称 电晕放电装置
摘要
申请公布号 TW023755 申请公布日期 1978.10.01
申请号 TW06511243 申请日期 1976.06.18
申请人 全录股份有限公司 发明人 乔治 J. 沙福特;汤姆士 G. 大卫斯
分类号 H01T19/00 主分类号 H01T19/00
代理机构 代理人 陈世雄 台北巿大安区一○六六一敦化南路六九五号八楼
主权项 1﹒一种用来改变于邻近表面电荷之电晕放电装置,其组成为:一个电晕放电构件11,该构件系由一个在内的金属电极12及一个在外的介电包覆物13所组成,一个交流电晕激发电位施用于该电极,而该包属物的厚度系被选来作为防止净直流电流从电源18经由所述电极流出者。2﹒如请求专利部份第1项所述之电晕放电装置另含一个邻近导线12之导电屏遮20者。3﹒如请求专利部份第2项所述之组合,其中,电屏遮20通常系置于上述构件之旁,且相对表面14者。4﹒如请求专利部份第1项所述之组合;其中,表面14与一维持于一参考电位之导体接触,且上述交流电位对称地在该参考电位附近变化者。5﹒如请求专利部份第2项所述之组合;其中,以一个参考电位耦合屏遮20及表面14,且上述交流电位对称地在该参考电位附近变化者。6﹒如请求专利部份第4项所述之组合;其中,该参考电位系接地者。7﹒如请求专利部份第5项所述之组合;其中,该参考电位系接地者。8﹒在组合中;一个电荷收集面14,该面在一导电基座15上,一个电晕放电构件位于表面1上方该构件含一细导线,该细导线于其放电部份为介电质所包覆,该介电质乃用来藉一交流电晕激发电压耦合基座15与导线12。一个邻近导线12之导电屏遮20,首先被偏动以维持上述参考电位。上述之介电质具有足够防止净直流电流流经上述导线之厚度者。9﹒如请求专利部份第8项所述之组合;其中,该参考电位系接地者。10﹒如请求专利部份第8项所述之组合;另含第二次偏动,以使屏遮20偏至一个正或负的直流电位,此正或负乃相对参考电位而言者。11﹒如请求专利部份第8项所述之组合;其中,该介电质为玻璃者。12﹒一种方法,该方法乃用于中和邻近表面之电荷其步骤含:设置一个邻近表面14之电晕放电电极。耦合一个交流晕极激发电位于电极12及用足够厚的介电质包覆该电极以防止净直流电流流经该电极。13﹒如请求专利部份第12项所述之方法;其中,该介电质为玻璃。14﹒如请求专利部份第12项所述之方法;其中,该电极为一金属延伸线。15﹒如请求专利部份第14项所述之方法;另含下列步骤:构成一光导物质之表面14。淀积上述光导物质于导电基座15上。加上一参考电位于基座15且以上述交流电压耦合导线12与基座15。16﹒如请求专利部份第12项所述之方法;另含下列步骤;提供一邻近导线12之导电屏遮。装设表面14于一导电基座15上。维持屏遮20与基座15于一共同直流电位。17﹒如请求专利部份第16项所述之方法,另含下列步骤:构成一光敏物质表面。以上述交流电压耦合电极12与基座15。18﹒一种方法;系淀积电荷于邻近表面之方法,其步骤含:置一邻近表面14之电晕放电导线12。施予交流电晕激发电位于导线12,用一足够厚的介电质包覆导线12,以防止直流电流通过导线12。设置一邻近导线12之导电屏遮20。建立一直流电场于屏遮20与表面14间。19﹒如请求专利部份第18项所述之方法;另含下列步骤:构成上述电极为延伸线之形成。构成上述屏遮为U形之构件。构成一光敏物质之表面14。架设表面14于导电基座15上。加上直流电位于屏遮20及底座15间。20﹒如请求专利部份第18项所述之方法;其中,建立直流电场,乃藉施一负偏压于该屏遮,此负偏压乃相对表面14而言。21﹒如请求专利部份第20项所述之方法;其中,一光导物质之表面置于导电基座15上;且其中,该屏遮及该基座被耦合以不同参考电位,以便于建立上述直流电场。
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