发明名称 Hetero-structure injection laser
摘要 A semiconductor laser having a structure such that a narrow strip mesa is formed above a laser active layer in a hetero-structure crystal so that it can generate a laser beam of improved optical property.
申请公布号 US4142160(A) 申请公布日期 1979.02.27
申请号 US19750612103 申请日期 1975.09.10
申请人 HITACHI, LTD. 发明人 TSUKADA, TOSHIHISA;CHINONE, NAOKI;NAKAMURA, SATOSHI;ITO, RYOICHI
分类号 H01L21/00;H01L33/00;H01S5/22;H01S5/40;(IPC1-7):H01S3/19 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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